WIRELESS COMPUTING & RF PRODUCT PLATFORM

让无线系统
更快进入工程化

从无线计算平台、GaN 功率放大芯片到低成本射频 SiP，以系列化产品缩短验证周期，降低系统集成风险。

选择适合的平台 →查看能力对比 ↘

3 大产品系列28 款在售产品0.3–34 GHz 射频覆盖

射频前端RF Front-End

数字处理Digital Processing

高速互联High-Speed I/O

WIRELESS COMPUTING

FJM 无线计算平台

标准化 SDR、直采与多通道计算平台

↘02

GAN POWER AMPLIFIER

功放芯片系列

2–18 GHz、10–140 W GaN MMIC 产品矩阵

↘03

LOW-COST RF SIP

低成本射频 SiP

变频、功分、放大、衰减与检波一体化

↘

PRODUCT SELECTOR

先看任务，再选平台

产品不按“高低配”简单排列，而是对应不同无线系统架构。选择你的核心任务，快速定位更合适的平台。

低成本微型 SDR

FJM30

面向无线通信、Mesh 自组网与通用 SDR 的微型平台

收发架构: 2T2R
频率范围: 70 MHz—6 GHz
瞬时/处理带宽: 200 kHz—56 MHz
处理能力: ≈85K Logic Cells
关键能力: 8,000 跳/秒
封装尺寸: 17 × 17 × 1.66 mm

通用 SDRMesh 自组网无线图传

高算力多通道 SDR

FJM35

面向复杂协议、数据链与网络化系统的异构处理平台

收发架构: 2T3R
频率范围: 30 MHz—7 GHz
瞬时/处理带宽: 20 kHz—70 MHz
处理能力: ≈410K Logic Cells
关键能力: ≤40,000 跳/秒
封装尺寸: 23 × 23 × 2.59 mm

数据链导航定位小型化雷达

四通道高速直采

FJM44

面向宽带接收、实时处理和阵列化扩展的直采平台

收发架构: 4R 直采
频率范围: 10 MHz—6 GHz
瞬时/处理带宽: 最高 1.2 GHz
处理能力: 325K Logic Cells
关键能力: <1 μs 重构
封装尺寸: 27 × 27 × 3 mm

数字相控阵电子侦察高速采集

四通道接收与 DBF

FJM50

面向多通道同步接收、低中频与数字波束形成

收发架构: 1T4R
频率范围: 200 MHz—6 GHz
瞬时/处理带宽: 52 kHz—100 MHz
处理能力: 325K Logic Cells
关键能力: 多设备同步
封装尺寸: 23 × 23 × 3.34 mm

四象限雷达北斗抗干扰频谱监测

CAPABILITY MATRIX

四个平台，一套清晰的工程路径

把通道、处理、应用和工程适配放在同一张表里，避免只按单一指标选型。

能力维度	FJM30低成本微型 SDR	FJM35高算力多通道 SDR	FJM44四通道高速直采	FJM50四通道接收与 DBF
收发/采集架构	2T2R	2T3R	4R 直采	1T4R
频率范围	70 MHz—6 GHz	30 MHz—7 GHz	10 MHz—6 GHz	200 MHz—6 GHz
瞬时/处理带宽	200 kHz—56 MHz	20 kHz—70 MHz	最高 1.2 GHz	52 kHz—100 MHz
处理资源定位	≈85K Logic Cells	≈410K Logic Cells	325K Logic Cells	325K Logic Cells
快跳/数据能力	8,000 跳/秒	≤40,000 跳/秒	<1 μs 重构	多设备同步
首选任务	通用 SDR	数据链	数字相控阵	四象限雷达
工程价值	小型化验证与规模化部署	需要 Linux 与 FPGA 协同的系统	高吞吐同步采集与边缘处理	多通道相干接收与 DBF 系统
封装尺寸	17 × 17 × 1.66 mm	23 × 23 × 2.59 mm	27 × 27 × 3 mm	23 × 23 × 3.34 mm

注：页面为平台级定位对比；具体接口、频率范围与环境等级以对应产品规格书为准。

GAN POWER AMPLIFIER MMIC

功放芯片系列

覆盖 S、C、X、Ku 等频段的 GaN 高功率放大芯片，兼顾输出功率、带宽、增益与效率，适用于收发组件、雷达及无线通信系统。

GaN 功率放大器

HYPA101

4–8 GHz、约 140 W 高功率放大芯片，适用于宽带收发与通信组件。

工作频率4–8 GHz

输出功率: 51.5 dBm
小信号增益: 34 dB
PAE: 32%
偏置: 48 V / 2.3 A

GaN 功率放大器

HYPA102

8–12 GHz、约 125 W 高功率放大芯片，兼顾高增益与效率。

工作频率8–12 GHz

输出功率: 51 dBm
小信号增益: 37 dB
PAE: 38%
输入 VSWR: < 1.7

GaN 功率放大器

HYPA103

8–11 GHz、约 125 W 高功率放大芯片，面向 X 波段高功率链路。

工作频率8–11 GHz

输出功率: 51 dBm
小信号增益: 36 dB
PAE: 38%
偏置: 48 V / 0.19 A

GaN 功率放大器

HYPA201

2–4 GHz、约 55 W 连续波功率放大芯片。

工作频率2–4 GHz

输出功率: 47.5 dBm
小信号增益: 31 dB
PAE: 44%
偏置: 28 V / 1.13 A

GaN 功率放大器

HYPA202

2–6 GHz、约 30 W 宽带功率放大芯片。

工作频率2–6 GHz

输出功率: 45 dBm
小信号增益: 33 dB
PAE: 44%
偏置: 28 V / 0.835 A

GaN 功率放大器

HYPA203

8–13 GHz、约 70 W 宽带高功率放大芯片。

工作频率8–13 GHz

输出功率: 48.5 dBm
小信号增益: 28 dB
PAE: 30%
偏置: 28 V / 0.273 A

GaN 功率放大器

HYPA206

6–18 GHz、约 22 W 超宽带功率放大芯片。

工作频率6–18 GHz

输出功率: 43.5 dBm
小信号增益: 29.5 dB
PAE: 20%
偏置: 28 V / 0.738 A

GaN 功率放大器

HYPA210

6–18 GHz、约 30 W 超宽带功率放大芯片。

工作频率6–18 GHz

输出功率: 45 dBm
小信号增益: 28 dB
PAE: 23%
输入 VSWR: < 2

GaN 功率放大器

HYPA213

2–18 GHz、约 10 W 超宽带功率放大芯片。

工作频率2–18 GHz

输出功率: 40.5 dBm
小信号增益: 20 dB
PAE: 20%
偏置: 28 V / 0.577 A

GaN 功率放大器

HYPA216

5–6 GHz、约 120 W 高效率功率放大芯片。

工作频率5–6 GHz

输出功率: 51 dBm
小信号增益: 33 dB
PAE: 52%
偏置: 48 V / 1.6 A

GaN 功率放大器

HYPA217

13–18 GHz、约 80 W Ku 波段功率放大芯片。

工作频率13–18 GHz

输出功率: 48.5 dBm
小信号增益: 25 dB
PAE: 26%
偏置: 48 V / 0.15 A

GaN 功率放大器

HYPA219

8–12 GHz、约 80 W X 波段高效率功率放大芯片。

工作频率8–12 GHz

输出功率: 49 dBm
小信号增益: 34 dB
PAE: 40%
输入 VSWR: < 1.7

GaN 功率放大器

HYPA401

2–6 GHz、约 30 W 宽带连续波功率放大芯片。

工作频率2–6 GHz

输出功率: 47 dBm
小信号增益: 29 dB
PAE: 42%
输入 VSWR: < 1.65

GaN 功率放大器

HYPA402

2–6.5 GHz、约 30 W 宽带功率放大芯片。

工作频率2–6.5 GHz

输出功率: 45 dBm
小信号增益: 30 dB
PAE: 36%
偏置: 28 V

GaN 功率放大器

HYPA704

8–18 GHz、约 40 W 超宽带功率放大芯片。

工作频率8–18 GHz

输出功率: 46 dBm
小信号增益: 33 dB
PAE: 28%
输入 VSWR: < 1.7

PRODUCT MATRIX

功放芯片系列产品清单

按型号集中查看产品定位、频率范围、核心性能与封装尺寸，详细指标以对应 PDF 产品手册为准。

型号	产品类型	工作频率	核心性能	芯片/封装尺寸	资料
HYPA101	GaN 功率放大器	4–8 GHz	输出功率51.5 dBm小信号增益34 dBPAE32%偏置48 V / 2.3 A	4.5 × 5.25 × 0.10 mm	PDF ↓
HYPA102	GaN 功率放大器	8–12 GHz	输出功率51 dBm小信号增益37 dBPAE38%输入 VSWR< 1.7	4.5 × 5.25 × 0.10 mm	PDF ↓
HYPA103	GaN 功率放大器	8–11 GHz	输出功率51 dBm小信号增益36 dBPAE38%偏置48 V / 0.19 A	5.25 × 4.5 × 0.10 mm	PDF ↓
HYPA201	GaN 功率放大器	2–4 GHz	输出功率47.5 dBm小信号增益31 dBPAE44%偏置28 V / 1.13 A	4.0 × 4.5 × 0.10 mm	PDF ↓
HYPA202	GaN 功率放大器	2–6 GHz	输出功率45 dBm小信号增益33 dBPAE44%偏置28 V / 0.835 A	4.0 × 4.5 × 0.10 mm	PDF ↓
HYPA203	GaN 功率放大器	8–13 GHz	输出功率48.5 dBm小信号增益28 dBPAE30%偏置28 V / 0.273 A	4.0 × 6.0 × 0.10 mm	PDF ↓
HYPA206	GaN 功率放大器	6–18 GHz	输出功率43.5 dBm小信号增益29.5 dBPAE20%偏置28 V / 0.738 A	4.0 × 4.0 × 0.10 mm	PDF ↓
HYPA210	GaN 功率放大器	6–18 GHz	输出功率45 dBm小信号增益28 dBPAE23%输入 VSWR< 2	4.0 × 6.0 × 0.10 mm	PDF ↓
HYPA213	GaN 功率放大器	2–18 GHz	输出功率40.5 dBm小信号增益20 dBPAE20%偏置28 V / 0.577 A	3.2 × 4.3 × 0.10 mm	PDF ↓
HYPA216	GaN 功率放大器	5–6 GHz	输出功率51 dBm小信号增益33 dBPAE52%偏置48 V / 1.6 A	3.6 × 5.25 × 0.10 mm	PDF ↓
HYPA217	GaN 功率放大器	13–18 GHz	输出功率48.5 dBm小信号增益25 dBPAE26%偏置48 V / 0.15 A	3.6 × 5.25 × 0.10 mm	PDF ↓
HYPA219	GaN 功率放大器	8–12 GHz	输出功率49 dBm小信号增益34 dBPAE40%输入 VSWR< 1.7	4.0 × 6.0 × 0.08 mm	PDF ↓
HYPA401	GaN 功率放大器	2–6 GHz	输出功率47 dBm小信号增益29 dBPAE42%输入 VSWR< 1.65	4.8 × 3.8 × 0.10 mm	PDF ↓
HYPA402	GaN 功率放大器	2–6.5 GHz	输出功率45 dBm小信号增益30 dBPAE36%偏置28 V	4.8 × 3.8 × 0.10 mm	PDF ↓
HYPA704	GaN 功率放大器	8–18 GHz	输出功率46 dBm小信号增益33 dBPAE28%输入 VSWR< 1.7	3.45 × 5.0 × 0.10 mm	PDF ↓

LOW-COST RF SIP

低成本射频 SiP 系列

以国产化陶瓷 BGA 封装集成变频、放大、功分、数控衰减与检波功能，为小型化射频前端提供可快速落地的标准器件。

单通道变频 SiP

MIX-2028

集成混频器、中频双向放大与本振驱动，实现上/下变频切换。

工作频率20–28 GHz

中频: 0.1–5.5 GHz
变频增益: 10 dB
噪声系数: 14 dB
电流: 75 mA@5 V

双通道变频 SiP

DMIX-0618

双通道混频、射频双向放大、滤波及本振驱动集成。

工作频率6–18 GHz

中频: DC–5.5 GHz
增益: 2 dB
通道隔离: 45 dBc
电流: 51 mA@5 V

双通道变频 SiP

DMIX-2123

面向 21–23 GHz 收发组件的双通道独立变频平台。

工作频率21–23 GHz

中频: DC–6 GHz
增益: 7 dB
通道隔离: 45 dBc
电流: 15/67 mA@5 V

放大功分 SiP

APD-0118

集成宽带放大与四路功分，可用于信号分配或合路。

工作频率1–18 GHz

增益: 2 dB
噪声系数: 5 dB
功分输出 P-1: 4 dBm
电流: 51 mA@5 V

放大功分 SiP

APD-2123

面向 21–23 GHz 的四路放大功分与信号合路。

工作频率21–23 GHz

增益: 7 dB
噪声系数: 3.5 dB
合路输出 P-1: 21 dBm
电流: 15/67 mA@5 V

混频放大 SiP

MIXAMP-0618

集成混频、射频/中频放大、中频滤波与本振驱动。

工作频率6–18 GHz

中频: 0.1–5.5 GHz
增益: 25 dB
噪声系数: 4.5 dB
电流: 126 mA@5 V

可调增益放大 SiP

VGA-00320

集成放大器、6 位数控衰减器与温补衰减器。

工作频率0.3–20 GHz

增益: 15 dB
噪声系数: 3 dB
衰减范围: 0.5–31.5 dB
电流: 59 mA@5 V

可调增益放大 SiP

VGA-2034

覆盖毫米波频段的 6 位数控衰减与温补放大 SiP。

工作频率20–34 GHz

增益: 14 dB
噪声系数: 3 dB
衰减范围: 0.5–31.5 dB
电流: 51 mA@5 V

检波 SiP

DET-0227

集成耦合器、放大器与检波器，用于射频链路功率监控。

工作频率2–27 GHz

主路损耗: 0.5 dB
动态范围: 40 dB
上升沿: 100 ns
电流: 73 mA@5 V

PRODUCT MATRIX

低成本射频 SiP 系列产品清单

按型号集中查看产品定位、频率范围、核心性能与封装尺寸，详细指标以对应 PDF 产品手册为准。

型号	产品类型	工作频率	核心性能	芯片/封装尺寸	资料
MIX-2028	单通道变频 SiP	20–28 GHz	中频0.1–5.5 GHz变频增益10 dB噪声系数14 dB电流75 mA@5 V	8 × 6 × 1.5 mm	PDF ↓
DMIX-0618	双通道变频 SiP	6–18 GHz	中频DC–5.5 GHz增益2 dB通道隔离45 dBc电流51 mA@5 V	12 × 9 × 1.5 mm	PDF ↓
DMIX-2123	双通道变频 SiP	21–23 GHz	中频DC–6 GHz增益7 dB通道隔离45 dBc电流15/67 mA@5 V	9 × 9 × 1.5 mm	PDF ↓
APD-0118	放大功分 SiP	1–18 GHz	增益2 dB噪声系数5 dB功分输出 P-14 dBm电流51 mA@5 V	9 × 9 × 1.5 mm	PDF ↓
APD-2123	放大功分 SiP	21–23 GHz	增益7 dB噪声系数3.5 dB合路输出 P-121 dBm电流15/67 mA@5 V	9 × 9 × 1.5 mm	PDF ↓
MIXAMP-0618	混频放大 SiP	6–18 GHz	中频0.1–5.5 GHz增益25 dB噪声系数4.5 dB电流126 mA@5 V	9 × 9 × 1.5 mm	PDF ↓
VGA-00320	可调增益放大 SiP	0.3–20 GHz	增益15 dB噪声系数3 dB衰减范围0.5–31.5 dB电流59 mA@5 V	10 × 6 × 1.5 mm	PDF ↓
VGA-2034	可调增益放大 SiP	20–34 GHz	增益14 dB噪声系数3 dB衰减范围0.5–31.5 dB电流51 mA@5 V	10 × 6 × 1.5 mm	PDF ↓
DET-0227	检波 SiP	2–27 GHz	主路损耗0.5 dB动态范围40 dB上升沿100 ns电流73 mA@5 V	9 × 9 × 1.5 mm	PDF ↓

TYPICAL APPLICATIONS

从标准平台进入真实系统

围绕通信、雷达、导航和通用 SDR 四类任务，复用硬件、软件与验证基础。

战术通信与数据链

快速跳频、协议处理、自主组网与多通道收发。

优先 FJM35 →

雷达与 SAR

宽带直采、高速数据流与后端 GPU 协同处理。

优先 FJM44 →

导航抗干扰

多通道同步采集、阵列校准与数字波束形成。

优先 FJM50 →

通用 SDR

低成本验证、算法迁移与产品快速工程化。

优先 FJM30 →

ENGINEERING SUPPORT

平台标准化，工程支持不缩水

从产品选型、母板与接口适配，到 FPGA/嵌入式开发环境和系统联调，形成可落地的工程闭环。

01　产品选型与架构评审02　参考设计与开发资料03　算法移植与系统联调

查看产品资料 →

让无线系统更快进入工程化

FJM 无线计算平台

功放芯片系列

低成本射频 SiP

先看任务，再选平台

FJM30

FJM35

FJM44

FJM50

四个平台，一套清晰的工程路径

功放芯片系列

HYPA101

HYPA102

HYPA103

HYPA201

HYPA202

HYPA203

HYPA206

HYPA210

HYPA213

HYPA216

HYPA217

HYPA219

HYPA401

HYPA402

HYPA704

功放芯片系列产品清单

低成本射频 SiP 系列

MIX-2028

DMIX-0618

DMIX-2123

APD-0118

APD-2123

MIXAMP-0618

VGA-00320

VGA-2034

DET-0227

低成本射频 SiP 系列产品清单

从标准平台进入真实系统

战术通信与数据链

雷达与 SAR

导航抗干扰

通用 SDR

平台标准化，工程支持不缩水

让无线系统
更快进入工程化